キオクシア株式会社メモリソリューションの世界的リーダーである同社は本日、同社の研究チームが3次元フラッシュメモリデバイスの発明とその製造により日本の文部科学省から科学技術賞を受賞したことを発表した。この方法により、メモリ容量が大幅に増加し、製造コストが削減されました。

この賞は、日本の研究開発において顕著な功績をあげ、我が国の科学技術への理解促進に貢献した個人に文部科学省から毎年贈られるものです。

キオクシアの受賞チーム:

• 勝俣 良太 高度記憶発達センター 記憶部門 副センター長
• 鬼頭 勝 メモリ事業部 先端メモリ開発センター グループリーダー
• メモリ技術研究開発機構 デバイス技術研究開発センター 主任研究員 青地 秀明氏
• 記憶発達戦略課 主任専門官 城戸 勝
• 記憶発達戦略課 主任専門官 田中 裕康

テクノロジーの概要:

フラッシュ メモリは、スマートフォンやデータ センターなど、データを保存する多くの用途で使用されており、需要の拡大が見込まれています。

受賞歴のある 3 次元フラッシュ メモリ テクノロジは、メモリ セルを垂直に積層する製造プロセスを大幅に簡素化し、高密度 3 次元フラッシュ メモリを実現する革新的なアプローチです。 従来の積層では、メモリセルアレイを製造するために堆積とパターニングのプロセスを繰り返す必要がありましたが、この新技術では、最初にメモリセル材料を積層し、次に独自のプロセス構造を使用して各セルを同時に製造するため、処理ステップが大幅に削減されます。 従来の2次元フラッシュメモリの微細化技術が物理的限界に近づく中、大容量かつ高性能の3次元フラッシュメモリ技術が市場の主流製品に適用されるケースが増えています。 キオクシアは、2015年に三次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」を製品化して以降、積層密度の向上に取り組んでいます。 同社は先月、218層の大容量・高性能三次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」を発表した。

この三次元フラッシュメモリ技術は、2020年度全国発明表彰恩賜発明賞も受賞し、2021年度IEEE Andrew S. Grove Awardも受賞しました。

キオクシアは、「記憶を通じて世界を改善する」という使命のもと、世界中の人々に価値をもたらす技術の研究開発に取り組んでいます。

キオクシアについて

キオクシアは、フラッシュ メモリとソリッド ステート ドライブ (SSD) の開発、生産、販売に特化したメモリ ソリューションの世界的リーダーです。 2017年4月、その前身となる東芝メモリは、1987年にNANDフラッシュメモリを発明した株式会社東芝から独立しました。キオクシアは、顧客とメモリに選択肢を提供する製品、サービス、システムを提供し、メモリを通じて世界を改善することに尽力しています。 社会にとっての価値を確立しました。 BiCS FLASH™ と呼ばれるキオクシアの革新的な 3D フラッシュ メモリ テクノロジーは、先進的なスマートフォン、PC、SSD、自動車産業、データセンターなどの高密度アプリケーションにおけるストレージの未来を形作っています。

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オリジナルバージョンは、businesswire.com でご覧いただけます。 https://www.businesswire.com/news/home/20230418006279/pt/

接触：

山路航太

広報

キオクシアホールディングス株式会社

+81-3-6478-2319

kioxia-hd-pr@kioxia.com

ソース： ビジネスフィード