東京（日本）、2023 年 4 月 19 日–(ビジネスワイヤ)–キオクシア社メモリ ソリューションの世界的リーダーである株式会社は、本日、その作業チームが、3 次元フラッシュ メモリ デバイスの発明と、これにより、メモリ容量が大幅に増加し、製造コストが削減されます。

文部科学省が毎年、研究開発において顕著な功績をあげ、日本の科学技術への理解を深めた個人に贈る賞です。

Kioxia の受賞歴のあるチーム:

• 先端メモリ開発センター メモリ部門 副センター長 勝俣 亮太

• 先端メモリ開発センター メモリ事業部 グループリーダー 鬼頭勝

• メモリ技術総合研究所 デバイス技術研究開発センター シニアスペシャリスト 青地英明

• メモリ開発戦略課 チーフエキスパート 木戸勝

• メモリ開発戦略本部 チーフスペシャリスト 田中 浩康

技術のプレゼンテーション:

フラッシュメモリは、スマートフォンやデータセンターなど、データを保存する多くの用途で使用されており、需要の拡大が見込まれています。

受賞歴のある 3 次元フラッシュ メモリ技術は、高密度 3 次元フラッシュ メモリのメモリ セルを垂直方向に積み重ねるための製造プロセスを劇的に簡素化した革新的なアプローチです。 従来の積層では、メモリセルアレイを製造するために堆積とパターニングのプロセスを繰り返す必要がありましたが、この新しい技術では、最初にメモリセル材料を積層し、次に独自の構造化プロセスを使用して各セルを同時に製造するため、プロセスステップが大幅に削減されます。 従来の二次元フラッシュメモリの微細化技術が物理的限界に近づきつつある中、大容量・高性能な三次元フラッシュメモリ技術が主要市場製品にますます採用されています。 キオクシアは、2015 年に三次元フラッシュメモリ BiCS FLASH™ を製品化した後、積層密度の向上に取り組みました。 先月、同社は大容量と高性能を備えた 218 層の BiCS FLASH™ 3 次元フラッシュ メモリを発表しました。

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この三次元フラッシュメモリ技術は、2020年全国発明表彰恩賜発明賞、2021年IEEE Andrew S. Grove賞も受賞しました。

キオクシアは、「記憶で世界をより良くする」という使命のもと、世界中の人々に付加価値をもたらす技術の研究開発に取り組んでいます。

キオクシアについて

Kioxia はメモリ ソリューションのグローバル リーダーであり、フラッシュ メモリとソリッド ステート ドライブの開発、製造、販売に専念しています。 2017 年 4 月、その前身である東芝メモリは、1987 年に NAND フラッシュ メモリを発明した株式会社東芝から分社化されました。 . 社会にとっての価値。 BiCS FLASH™ と呼ばれる Kioxia の革新的な 3D フラッシュ メモリ技術は、ハイエンド スマートフォン、PC、SSD、自動車産業、データ センターなどの高密度アプリケーションにおけるストレージの未来を形作っています。

この発表の原文は、正式に承認されたバージョンです。 翻訳は説明のみを目的として提供されており、法的拘束力のあるテキストの唯一のバージョンである元の言語のテキストを参照する必要があります。

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連絡先

山路浩太
広報
キオクシアホールディングス株式会社
+81-3-6478-2319
kioxia-hd-pr@kioxia.com