東京（日本）、2023 年 6 月 1 日–(ビジネスワイヤー)–キオクシア株式会社 は本日、横浜テクノロジーキャンパス本館と新子安テクノロジーフロントという2つの新しい研究開発施設の運用を開始し、同社のフラッシュおよびソリッドステートドライブ（SSD）メモリの研究開発能力を強化しました。 将来的には、神奈川県の他の研究開発機能もこれらの新研究開発拠点に移転し、研究の効率化を図り、新たな技術革新を推進していきます。

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横浜テックキャンパス旗艦棟（写真：ビジネスワイヤ）

新しい建物の追加により、横浜テクノロジーキャンパスの規模はほぼ2倍となり、キオクシアはフラッシュメモリとSSDの評価能力を拡張し、全体的な製品開発と品質を向上させることができます。 新社屋は環境に配慮した設備を備え、「ZEB-Ready」認証も取得しており、¹ この賞は、エネルギー効率の向上によりエネルギー消費量を 50% 以上削減できる建物に授与されます。

新子安テクノロジーフロントは、新材料、新プロセス、新デバイスなど半導体のさまざまな分野における先端基礎研究の拠点となります。 環境に優しいデザインの最先端の客室です。

キオクシア株式会社の桃富正樹最高技術責任者は次のように述べています。 キオクシアは、NAND フラッシュ メモリの発明以来、35 年以上にわたってメモリ製品革新の最前線に立ってきました。 これら2つの新施設により、今後のデジタル社会を支える製品・サービス・技術の提供に向け、研究開発活動をさらに加速・深化させてまいります。 »

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キオクシアは、次世代メモリ技術に加え、データセントリックコンピューティングを中心としたシステム技術や人工知能（AI）などのデジタルトランスフォーメーションなど、さまざまな分野の研究開発に取り組んでいます。 キオクシアは、国内外の大学、研究機関、企業とのオープンイノベーションを推進しています。

キオクシアは、「メモリで世界を改善する」という使命のもと、フラッシュメモリおよびSSD事業の競争力強化に向けた取り組みの展開に取り組んでいます。

横浜テクノロジーキャンパス本館
所在地：神奈川県横浜市栄区笠間2丁目
高さ：6階建て
延床面積：約200坪 4万メートル^二

新子安フロントテクノロジー
所在地：神奈川県横浜市神奈川区守谷町3丁目
高さ：4階建て
延床面積：約200坪 13千メートル^二

¹ ZEBとはネット・ゼロ・エネルギー・ビルディングの略称です。 「ZEB-Ready」とは、国の建築物省エネルギー性能表示制度における評価の一つで、再生可能エネルギーを除く基準一次エネルギー消費量を50％以上削減し、快適な室内環境を提供する建築物を認定するものです。 。

キオクシアについて

キオクシアは、フラッシュ メモリとソリッド ステート ドライブの開発、生産、販売に特化したメモリ ソリューションの世界的リーダーです。 2017年4月、その前身である東芝メモリは、1987年にNAND型フラッシュメモリを発明した株式会社東芝から独立しました。キオクシアは、メモリをベースに、顧客に選択肢を生み出す製品、サービス、システムを提供することで、メモリの世界を改善することに取り組んでいます。 。 社会にとっての価値。 BiCS FLASH™ と呼ばれるキオクシアの革新的な 3D フラッシュ メモリ テクノロジーは、ハイエンド スマートフォン、PC、SSD、自動車産業、データ センターなどの高密度アプリケーションにおけるストレージの未来を形作っています。

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山路航太
広報
キオクシア株式会社
+81-3-6478-2319
kioxia-hd-pr@kioxia.com